[实用新型]捕捉环无效
| 申请号： | 200620112588.0 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN2899105Y | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈俊铭;孙伟钧;吕水烟;黄经勋;陈彦宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种捕捉环，其具有上表面与下表面。捕捉环内缘包括承载面，承载面与上表面呈平行并用来承载晶片。上表面与承载面之间具有内径导角，内径导角和承载面的法线夹一角度，这个角度大于30度且小于或等于90度。因为捕捉环的内径导角和承载面的法线所夹的角度大于30度且小于或等于90度，所以可增加蚀刻机台中的等离子体折射与反射面积，因此能够有效控制晶片侧边薄片状缺陷的大小以及减少晶片侧边的缺陷数。 | ||
| 搜索关键词： | 捕捉 | ||
【主权项】：
1.一种捕捉环，其特征在于，该捕捉环具有上表面与下表面，且该捕捉环内缘还包括承载面与该上表面平行，用以承载晶片，其中：该捕捉环的该上表面与该承载面之间具有内径导角，该内径导角和该承载面的法线夹一角度，该角度大于30度且小于或等于90度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200620112588.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：少年儿童数字益智教育玩具
- 下一篇：双气源燃气取暖器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
