[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200610172809.8 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992175A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是通过使形成集成电路的图案实现微小化，来提供可以缩小芯片面积的半导体装置的制造方法。例如，本发明的目的是缩小由薄膜晶体管形成的用于IC卡或IC标签的IC芯片。本发明的制造方法包括以下步骤：形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成开口部分。通过使用相移掩模或者全息掩模的曝光工艺，以进行形成栅电极的步骤和在绝缘层中形成开口部分的步骤的一方或双方。因此，即使是玻璃衬底那样平坦度欠佳的衬底，也可以形成微小的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成开口部分，其中，通过使用相移掩模的曝光工艺进行形成所述栅电极的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
