[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610172421.8 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992256A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 韩载元 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，包括导电层；第一绝缘膜，形成于半导体衬底上并具有形成于其中的通孔；下阻挡膜，形成于通孔的内壁上；第一金属布线，形成于下阻挡膜上；第二绝缘膜，形成于第一金属布线和第一绝缘膜上，所述第二绝缘膜设置有宽度大于通孔的宽度的沟槽；上阻挡膜，形成于沟槽的下表面上；第二金属布线，形成于上阻挡膜上；以及侧壁阻挡膜，形成于上阻挡膜和第二金属布线的侧壁上。所述侧壁阻挡膜具有L形镜对称结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括导电层；第一绝缘膜，形成于该半导体衬底上并具有形成于其中的通孔；下阻挡膜，形成于该通孔的内壁上；第一金属布线，形成于该下阻挡膜上；第二绝缘膜，形成于该第一金属布线和该第一绝缘膜上，该第二绝缘膜设置有宽度大于该通孔的宽度的沟槽；上阻挡膜，形成于沟槽的下表面上；第二金属布线，形成于该上阻挡膜上；以及侧壁阻挡膜，形成于该上阻挡膜和该第二金属布线的侧壁上，其中所述侧壁阻挡膜具有L形镜对称结构。
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