[发明专利]一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料无效
| 申请号： | 200610169750.7 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211866A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨少延;范海波;李成明;陈涌海;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L31/0264;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氧化锌 外延 薄膜 生长 硅基可协变 衬底 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，其特征在于，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。
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