[发明专利]半导体处理无效
| 申请号： | 200610166726.8 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1983517A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | J·S·戈尔拉;N·E·布雷斯;M·A·皮克林 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;C04B35/565;C04B41/80;C04B41/91;C30B31/00;C30B31/10;C30B31/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示了一种用来提供能减少颗粒生成的碳化硅的方法。所述碳化硅制品可以用作处理半导体晶片的设备中的部件。通过减少半导体处理过程中生成的颗粒，减少了半导体晶片上的污染，从而提高了半导体晶片的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种方法，该方法包括：a)提供碳化硅制品；b)对所述碳化硅制品的一个或多个表面进行改性，使得在晶片处理过程中，该制品在半导体晶片上产生的颗粒数等于或少于160个/分米2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
