[发明专利]成膜方法以及成膜装置有效
| 申请号： | 200610163091.6 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1975986A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 古谷弘;西林道生;中泽诚一;三谷慎一 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/285;C23C16/00;C23C16/455;C23C14/00;C30B25/00;C30B25/14;C |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供成膜方法以及成膜装置。将多枚晶片放置在设置于反应室内的基座(a susceptor)上；加热上述晶片；从多段设置在被设置为贯穿上述基座中心的气体供给喷嘴上的开口部供给处理气体；从上述多段设置的开口部中最上段的开口部，向斜下方供给上述处理气体；使来自开口部的上述处理气体的供给方向相对于上述反应室相对地变动。通过这样的结构，抑制淀积在反应室壁面上的淀积物的膜厚，能够使成膜装置的维护周期长周期化，提高生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于包含以下步骤：将多枚晶片放置在设置于反应室内的基座上；加热上述晶片；从多段设置在被设置为贯穿上述基座中心的气体供给喷嘴上的开口部，供给处理气体；从上述多段设置的开口部中最上段的开口部，向斜下方供给上述处理气体；使来自上述多段设置的开口部的上述处理气体的供给方向，相对于上述反应室相对地变动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
