[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制造方法，此方法首先于基板上形成一图案化第一导电层，其包括一栅极以及与其电性连接的一扫描配线；之后，于基板上形成一栅绝缘层；于栅极上方的栅绝缘层上形成一沟道层以及一欧姆接触层；接着，于基板上形成一保护层，并于保护层中形成源极接触孔与漏极接触孔，以暴露出欧姆接触层；最后，于保护层上形成一图案化第二导电层，其包括一源极与一漏极、一数据配线以及一像素电极，源极与漏极分别透过源极接触孔以及漏极接触孔与欧姆接触层电性连接，而源极与数据配线电性连接，且漏极与像素电极电性连接。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，包括：形成一图案化第一导电层于一基板上，该图案化第一导电层包括一栅极与一扫描配线，其中该栅极与该扫描配线电性连接；依序形成一栅绝缘层、一沟道材料层、一欧姆接触材料层以及一光阻层于该基板上，其中该栅绝缘层覆盖该图案化第一导电层；利用一光掩膜图案化该光阻层，并以该图案化的光阻层为掩膜对该沟道材料层与该欧姆接触材料层进行一背沟道蚀刻制程，以于该栅极上方定义出一沟道层以及一欧姆接触层；形成一保护层于该基板上，并于该保护层形成一源极接触孔及一漏极接触孔，以暴露出该欧姆接触层；以及于该保护层上形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层包括一源极与一漏极、一数据配线以及一像素电极，其中该源极与该漏极分别透过该源极接触孔以及该漏极接触孔与该欧姆接触层电性连接，该源极与该数据配线电性连接，且该漏极与该像素电极电性连接。