[发明专利]闪存的写入电路与其写入方法有效
| 申请号： | 200610161140.2 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101197192A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 许哲豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G05F3/26;G11C16/04;G11C16/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种闪存的写入电路与写入方法，本发明利用固定电流来进行闪存的写入，以调整闪存的门槛电压。当写入电路对闪存进行写入时，本发明利用闪存的漏极电压变化，来判断闪存的门槛电压是否达到所期望的电压值。因此，本发明可准确的调整写入后的门槛电压，并缩短写入时间。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 写入 电路 与其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存的写入电路，适用于进行一存储元件的写入动作，其特征在于，该写入电路包括：一写入单元，用以输出一写入电流与一参考电压；以及一侦测单元，耦接于该写入单元与该存储元件之间，用以导通该写入电流至该存储元件，并侦测该存储元件的一写入电压；其中，在进行该存储元件的写入时，该存储元件的控制端接收一字元线电压，该字元线电压为定值，该写入单元经由该侦测单元，输出定值的该写入电流至该存储元件，以调整该存储元件的门槛电压，该存储元件的写入端输出该写入电压，当该存储元件的该写入电压对应于该参考电压时，则该侦测单元停止导通该写入电流至该存储元件。
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