[发明专利]闪存的写入电路与其写入方法

权利要求书

1.一种闪存的写入电路，适用于进行一存储元件的写入动作，其特征在于，该写入电路包括：

一写入单元，用以输出一写入电流与一参考电压；以及

一侦测单元，耦接于该写入单元与该存储元件之间，用以导通该写入电流至该存储元件，并侦测该存储元件的一写入电压；

其中，在进行该存储元件的写入时，该存储元件的控制端接收一字元线电压，该字元线电压为定值，该写入单元经由该侦测单元，输出定值的该写入电流至该存储元件，以调整该存储元件的门槛电压，该存储元件的写入端输出该写入电压，当该存储元件的该写入电压对应于该参考电压时，则该侦测单元停止导通该写入电流至该存储元件。

2.如权利要求1项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中该写入单元包括：

一电流镜，用以输出该写入电流。

3.如权利要求2项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中该电流镜包括：

一第一P型晶体管，耦接于一工作电压与一电流源之间；以及

一第二P型晶体管，耦接于该工作电压与该侦测单元之间，该第一P型晶体管的栅极耦接于该第二P型晶体管的栅极，该第一P型晶体管的栅极亦耦接于该第一P型晶体管与该电流源的共享节点；

其中，该第二P型晶体管根据该电流源，输出相对应的该写入电流，该第一P型晶体管与该电流源的共享节点输出该参考电压。

4.如权利要求3项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中该侦测单元包括：

一第一N型晶体管，该第一N型晶体管与一第N型晶体管耦接于该第二P型晶体管与该存储元件之间，且该第一N型晶体管的栅极耦接于一箝制电压；以及

一比较器，该比较器的一正输入端耦接于该第一P型晶体管与该电流源的共享节点，该比较器的一负输入端耦接至该第一N型晶体管与该第一P型晶体管的共享节点，并输出一控制电压至该第二N型晶体管的栅极。

5.如权利要求4项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中在进行该存储元件的写入时，该箝制电压致能。

6.如权利要求1项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中该侦测单元包括：

一第一N型晶体管，该第一N型晶体管的一端耦接于该写入单元，该第一N型晶体管与该写入单元的共享节点输出一比较电压，且该第一N型晶体管的栅极耦接于一箝制电压；

一第二N型晶体管，耦接于第一N型晶体管与该存储元件之间，以及

一比较器，该比较器的一正输入端耦接于该参考电压，该比较器的一负输入端耦接于该比较电压，该比较器的输出端耦接至该第二N型晶体管的栅极；

其中，该写入单元经由该第一N型晶体管与该第二N型晶体管输出该写入电流至该存储单元，并使该比较电压对应于该写入电压，该比较器根据该比较电压与该参考电压，输出一控制电压至该第二N型晶体管，当该比较电压低于该参考电压时，该比较器关闭该第二N型晶体管。

7.如权利要求6项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中在进行该存储元件的写入时，该箝制电压致能。

8.如权利要求1项所述的闪存的写入电路，其特征在于，其中该存储元件包括浮栅存储器，该浮栅存储器的漏极端耦接于该侦测单元，并输出该写入电压，该浮栅存储器的源极端耦接至一接地端，该浮栅存储器的控制栅极耦接于一字元线，并接收该字元线电压，该浮栅存储器的漏极为该存储元件的写入端，该浮栅存储器的控制栅极为该存储元件的控制端。

9.一种闪存的写入电路，适用于进行一存储器阵列的写入动作，该存储器阵列包括多个存储元件，其特征在于，该写入电路包括：

一写入单元，用以输出一写入电流与一参考电压；

一侦测单元，耦接于该写入单元，用以导通该写入电流至该些存储元件其中的一第一存储元件，并侦测该第一存储元件的一写入电压；以及

多个开关，耦接于该侦测单元与该些存储元件之间，用以选择该第一存储元件；

其中，在进行该第一存储元件的写入时，该第一存储元件的一字元线电压为定值，该写入单元经由该侦测单元，输出定值的该写入电流至该第一存储元件，以调整该第一存储元件的门槛电压，该第一存储元件的写入端输出该写入电压，当该第一存储元件的该写入电压对应于该参考电压时，则该侦测单元停止导通该写入电流至该第一存储元件。