[发明专利]半导体元件以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610160578.9 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1971885A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 斋藤晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/762;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在提供能够抑制漏电流的产生且在可使用玻璃衬底的温度下执行元件隔离来制造细小元件的方法。本发明包括以下步骤：第一步骤，在玻璃衬底上形成基底膜；第二步骤，在基底膜上形成半导体膜；第三步骤，在半导体膜上按预定的图案形成防止该半导体膜的氧化或氮化的膜；第四步骤，在玻璃衬底处于比该玻璃衬底的应变点低100℃以上的温度下，对半导体膜的不被预定的图案所覆盖的区域执行自由基氧化或自由基氮化而进行元件隔离，其中，自由基氧化或自由基氮化在如下条件的等离子体处理室内被执行：在和等离子体产生区域离开而配置的半导体膜上，电子温度为0.5eV至1.5eV，优选为1.0eV或更低，电子密度为1×1011cm－3至1×1013cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半导体膜；在所述半导体膜上形成具有预定的图案且防止该半导体膜的氧化或氮化的膜；以及在所述玻璃衬底处于比该玻璃衬底的应变点低100℃以上的温度下，对所述半导体膜的区域执行自由基氧化或自由基氮化而进行元件隔离，其中，所述区域不被所述预定的图案所覆盖，以及其中，在等离子体处理室内，在与等离子体产生区域离开而配置的所述半导体膜上执行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等离子体处理室的条件如下：电子温度为0.5eV至1.5eV，电子密度为1×1011cm-3至1×1013cm-3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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