[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供可防止缺陷的发生和工作耐压的降低且不会在工作特性上产生偏差的半导体装置。PMOS晶体管(P1)中，源极/漏极区沿栅极宽度方向分割成4份，形成具有4个独立的源极区(12)的排列和4个独立的漏极区(13)的排列的结构。在4个源极区(12)间，设置部分槽隔离绝缘膜(PT)以与相对的整个侧面连接，该部分槽隔离绝缘膜(PT)配置成沿沟道纵向横穿并分割栅极(G1)的下方形成的沟道区。设置以较高浓度含有N型杂质的本体固定区(14)，以与源极区(12)的栅极(G1)的相反侧的侧面连接，形成从本体固定区(14)通过阱区(15)来固定本体区(11)的电位的结构。

主权项

1.一种半导体装置，具备在SOI基板的SOI层上配置的MOS晶体管，其特征在于，上述MOS晶体管具备：上述SOI层上隔着栅极绝缘膜配置的栅极；第1半导体区及第2半导体区，分别配置在上述栅极的栅极纵向的两侧面外部的上述SOI层的表面内；第1部分槽隔离绝缘膜，沿栅极纵向横穿上述栅极下方的上述S0I层的表面内形成的沟道区，并沿栅极纵向横穿上述第1半导体区，将上述第1半导体区在栅极宽度方向上分割成多个；第3半导体区，设置为在上述第1半导体区侧中与上述第1槽隔离绝缘膜的与上述栅极成相反侧的侧面连接，并从上述SOI层的表面达到埋入氧化膜，上述第1部分槽隔离绝缘膜在其下层具有包含与上述第1半导体区相反的导电型的杂质的阱区，上述第3半导体区以与上述阱区相同的导电型连接到上述阱区。