[发明专利]半导体器件和半导体基板切分方法有效
| 申请号： | 200610160324.7 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1967805A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小邑笃;田村宗生;杉浦和彦;船户祐嗣;丸山友美;藤井哲夫;河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 切分 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于切分半导体基板(21)的方法，包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；以及向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)；其中，沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，以使得沟槽(22，24，32，34)靠近改质层(K)设置；并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
