[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610154378.2 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1976061A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤树理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在形成使半导体基板(31)露出的槽(36)后，除去分别配置在半导体层(33、35)下的半导体层(51、52)的一部分，形成使半导体层(33、35)的端部的上下面从半导体层(51、52)分别露出的空隙(60a、60b)，分别经由导体层(33、35)的侧壁，以迂回至半导体层(33、35)下面的方式将支承体(56)嵌入到槽(36、37)内，在半导体基板(31)和半导体层(33)之间形成空洞部(57a)，并在半导体层(33、35)之间形成空洞部(57b)之后，形成嵌入在空洞部(57a、57b)的嵌入绝缘层(39)。由此，能够使基于背栅电极的阈值控制性能提高，并且，可降低与源极/漏极层的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在半导体层下的一部分形成的第一绝缘体；以避开所述第一绝缘体的方式形成在所述半导体层下，且相对介电常数与所述第一绝缘体不同的第二绝缘体；形成在所述第一绝缘体和所述第二绝缘体下的背栅电极；形成在所述半导体层上的栅电极；和形成于所述半导体层，分别配置在所述栅电极的侧方的源极/漏极层。
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