[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

一种集成电路及其制造方法，其中，在半导体基板(20)上形成硅氮化膜(42)，作为第一层布线(26)和第二层布线(28)的层间绝缘膜。在摄像部(24)中，使硅氮化膜(42)的表面形成透镜形状，从而形成密集配置有凸透镜(44)的透镜阵列。在该硅氮化膜(42)的表面成膜硅氧化膜(48)。第二层Al膜形成在硅氧化膜(48)的表面上。Al膜被从透镜阵列表面等不要部分蚀刻除去，从而形成布线(28)。由此，在使用Al布线的层间绝缘膜即硅氮化膜形成微透镜阵列的集成电路中，防止Al布线的应力迁移和透镜形状的崩裂。

主权项

1.一种集成电路，其在基板上并设：形成透镜阵列的透镜区域、和对布线膜进行图案形成而形成布线的电路区域，该集成电路具有：第一透明绝缘膜，其层叠在所述透镜区域和所述电路区域中，并在所述透镜区域中构成表面分别为凸面或凹面的多个透镜；和第二透明绝缘膜，其层叠在所述第一透明绝缘膜的表面，在所述透镜阵列中相邻的所述透镜被密集配置，所述布线膜层叠在所述第二透明绝缘膜的表面，所述第二透明绝缘膜，比所述第一透明绝缘膜氧化硅的含有率高，且对于所述布线膜的图案形成中的蚀刻，比所述第一透明绝缘膜蚀刻速率低。