[发明专利]存储器元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200610152330.8 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101026165A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;陈椿瑶;林宜经 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器元件及其形成方法，其具有高侦测速度与可靠度。所述元件包括：第一介电层及第二介电层依序形成于半导体基板上；电容位于第二介电层中，且具有至少部分填满第三介电层的杯状区域。上述元件可更包括第三介电层及位线依序形成于第二介电层上，且位线电性连接至电容。较佳情况下，该电容的杯状区域包含大尺寸孔洞。本发明所述的存储器元件及其形成方法可改善DRAM元件的可靠度和速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件，其特征在于，所述存储器元件包括：一半导体基板；一介电层，位于该半导体基板上，且具有一第一介电常数；一电容，位于该介电层中，且具有一内部区域，该内部区域含有一孔洞；一额外介电层，位于该电容上，且具有一第二介电常数，其中该额外介电层包括一低介电常数材料；以及一导线，位于该额外介电层上，且电性连接至该电容的一顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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