[发明专利]一种TFT矩阵结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT矩阵结构，其中包括：一基板；一栅线和一栅电极，栅线和栅电极的上方依次覆盖有第一层绝缘层、半导体层、欧姆接触层；一薄膜晶体管沟道；一第二层绝缘层，形成在欧姆接触层上；一源漏电极过孔，形成在第二层绝缘层上；一数据线及与其一体的源电极，源电极与栅电极上的欧姆接触层连接；一漏电极，与栅电极上的欧姆接触层连接；一钝化层，形成在数据线、源电极及漏电极的上方；一像素电极，形成在第二绝缘层上，并与漏电极部分搭接；一凹槽，形成在数据线之间的栅线上，截断栅线上方的欧姆接触层。本发明同时公开了该矩阵结构的制造方法。本发明的矩阵结构及其制造方法缩短了TFT矩阵的生产周期，降低了其生产成本。

主权项

1.一种TFT矩阵结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方依次覆盖有第一层绝缘层、半导体层、欧姆接触层；一薄膜晶体管沟道形成在所述栅电极上的欧姆接触层上；一第二层绝缘层，形成在所述欧姆接触层上；一源漏电极过孔，形成在所述薄膜晶体管沟道两侧的第二层绝缘层上；一数据线及与其一体的源电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，并通过所述源漏电极过孔与所述栅电极上的欧姆接触层连接；一漏电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，并通过所述源漏电极过孔与所述栅电极上的欧姆接触层连接；一钝化层，形成在所述数据线、源电极及漏电极的上方；一像素电极，形成在所述第二绝缘层上，并与所述漏电极部分搭接；一凹槽，形成在所述数据线之间的栅线上，所述凹槽截断栅线上方的欧姆接触层并露出第一层绝缘层，所述凹槽露出第一绝缘层的上方覆盖一层像素电极材料层。