[发明专利]一种TFT矩阵结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT矩阵结构，其特征在于，包括：

一基板；

一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方依次覆盖有第一层绝缘层、半导体层、欧姆接触层；

一薄膜晶体管沟道形成在所述栅电极上的欧姆接触层上；

一第二层绝缘层，形成在所述欧姆接触层上；

一源漏电极过孔，形成在所述薄膜晶体管沟道两侧的第二层绝缘层上；

一数据线及与其一体的源电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，并通过所述源漏电极过孔与所述栅电极上的欧姆接触层连接；

一漏电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，并通过所述源漏电极过孔与所述栅电极上的欧姆接触层连接；

一钝化层，形成在所述数据线、源电极及漏电极的上方；

一像素电极，形成在所述第二绝缘层上，并与所述漏电极部分搭接；

一凹槽，形成在所述数据线之间的栅线上，所述凹槽截断栅线上方的欧姆接触层并露出第一层绝缘层，所述凹槽露出第一绝缘层的上方覆盖一层像素电极材料层。

2.根据权利要求1所述的矩阵结构，其特征在于：所述栅线、栅电极、源电极、数据线或漏电极为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的单层膜，或者为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu之一或任意组合所构成的复合膜。

3.根据权利要求1所述的矩阵结构，其特征在于：所述第一层绝缘层、第二层栅绝缘层或钝化层为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

4.一种TFT矩阵结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上，依次沉积栅金属层、第一层绝缘层、半导体层和欧姆接触层，采用第一块掩模版，进行掩模、曝光和刻蚀，形成栅线、栅电极和薄膜晶体管沟道部分；

步骤2，在完成步骤1的基板上沉积第二层栅绝缘层，采用第二块掩模版，进行掩模、曝光和刻蚀后，将栅电极上方的欧姆接触层上的部分第二层栅绝缘层刻蚀掉，形成源漏电极过孔；同时将相邻像素间栅线上的部分第二层绝缘层刻蚀掉，形成一凹处；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积源漏金属层，采用第三块掩模版，进行掩模、曝光和刻蚀后形成源电极和漏电极，其中源电极和漏电极分别通过源漏电极过孔同欧姆接触层连接；

步骤4，在完成步骤3的基板上沉积钝化层，采用第四块掩模版，进行掩模、曝光和刻蚀后形成钝化层图形，其中本步骤中刻蚀要刻蚀掉步骤2中凹处上方的钝化层，并继续刻蚀凹处下方的欧姆接触层和半导体层，形成栅线上的凹槽；刻蚀完成后保留钝化层上的光刻胶，接着在钝化层上沉积像素电极材料层，最后由化学溶液剥离掉光刻胶和光刻胶上面的像素电极材料层，形成像素电极。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中依次沉积栅金属层、第一层绝缘层、半导体层和欧姆接触层为连续沉积。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中采用的掩模版为灰色调掩模版，所述灰色调掩模版曝光后，得到光刻胶未曝光区域、光刻胶部分曝光区域和光刻胶完全曝光区域，其中光刻胶未曝光区域对应形成栅线和栅电极部位；光刻胶部分曝光区域对应形成薄膜晶体管沟道部位；光刻胶完全曝光区域对应其它部分。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1的刻蚀是栅金属层、第一层绝缘层、半导体层和欧姆接触层在多步刻蚀中一次形成。

8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中形成薄膜晶体管沟道时要进行过刻，将沟道区的欧姆接触层完全刻蚀掉。