[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200610150319.8 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101075560A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 伊藤一彦;远藤恭介;塚本英之 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;张友文 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造在沟底面设置了沟道截断环的台面型半导体装置的半导体装置的制造方法，不需要用于形成沟道截断环的掩膜形成工序且形成沟时不需要精密的蚀刻技术的半导体装置的制造方法。更为具体地来说，半导体装置的制造方法的特征在于依次包括：从第1主面侧形成越过pn结深度的沟18的沟形成工序、至少将n型杂质20供给于沟18的底面的杂质供给工序、通过将激光照射在沟18的底面使n型杂质20扩散到第1半导体层10的内部以形成沟道截断环22的沟道截断环形成工序和在沟18的内部形成钝化层28的钝化层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征为，包括：具有第1导电型的第1半导体层和配置于前述第1半导体层的第1主面侧的与前述第1导电型相反的导电型的第2导电型的第2半导体层，准备在前述第1半导体层和前述第2半导体层的接合部形成pn结的半导体基体的半导体基体准备工序，从前述半导体基体的前述第1主面侧形成越过前述pn结深度的沟的沟形成工序，至少将第1导电型杂质供给于前述沟底面的杂质供给工序，通过将激光照射在前述沟底面使前述第1导电型杂质扩散到前述第1半导体层的内部以形成沟道截断环的沟道截断环形成工序，在前述沟的内部形成钝化层的钝化层形成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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