[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610149408.0 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1992339A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治;神田良;菊地修一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，外延层表面具有最小的基极宽度，难以得到希望的hfe值。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(2)上层叠N型外延层(4)。在外延层(4)上形成作为基极引出区域的N型扩散层(5)、作为发射极区域的P型扩散层(6、7)、作为集电极区域的P型扩散层(8、9)。发射极区域在其深向部位具有比其表面附近的扩散宽度宽的区域，横型PNP晶体管(1)在外延层(4)深向部位形成最小基极宽度。根据该构造，可抑制自由载流子(空穴)的表面再复合，得到希望的hfe值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有半导体层、形成在该半导体层上的发射极区域、基极区域以及集电极区域，其特征在于，所述发射极区域具有相对于所述半导体层表面附近而位于深向部位较宽地扩散的区域，所述发射极区域和所述集电极区域间的离开距离在所述发射极区域的更宽地扩散的区域上最窄。
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