[发明专利]光掩模及其制作方法与图案定义的方法有效
申请号: | 200610148664.8 | 申请日: | 2006-11-22 |
公开(公告)号: | CN101191997A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 丁景隆;王程麒 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;B41J2/01;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光掩模,其包括一光掩模基板、一遮蔽图案以及多个凸起件。其中,光掩模基板的一表面可划分为一图案区以及图案区之外的一非图案区。遮蔽图案配置于图案区,而凸起件配置于非图案区内,且凸起件相对于表面的高度大于遮蔽图案的厚度。使用此光掩模对一待定义基板进行图案定义的步骤时,可藉由凸起件接触待定义基板,并使光掩模与待定义基板之间维持一较小的间距,以提升图案定义的解析度。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 及其 制作方法 图案 定义 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,包括:光掩模基板,该光掩模基板的表面划分为图案区以及该图案区之外的非图案区;遮蔽图案,配置于该图案区内;以及多个凸起件,配置于该非图案区内,该些凸起件相对于该表面的高度大于该遮蔽图案的厚度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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