[发明专利]光掩模及其制作方法与图案定义的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光掩模、光掩模的制作方法以及图案定义的方法，尤其涉及一种具有凸起件的光掩模、此光掩模的制作方法以及利用此光掩模对基板进行图案定义的方法。

背景技术

光刻(photolithography)工艺已被广泛应用于各类平面显示器、半导体装置等高科技产品的制造中，以藉由对于堆叠的各材料层分别进行图案定义的方式，而形成各类平面显示器与半导体装置所需的元件。然而，在元件集成度不断提升的趋势下，光刻工艺中对于曝光解析度的要求也不断提高。

以液晶显示器为例，在大尺寸液晶显示器的制造过程中通常采用近接式曝光，其具有成本低与产能高的优点，但却存在曝光解析度较差的问题，而在液晶显示器的尺寸更大时，曝光解析度不佳的问题更加严重。

图1绘示为利用现有光掩模对一基板上的材料层进行图案化时，基板与光掩模的相对位置的示意图。如图1所示，为了提升曝光解析度，一般会将光掩模130尽可能地接近基板100上的光致抗蚀剂层120而进行曝光，但以避免光掩模130接触光致抗蚀剂层120为前提，防止光掩模130受光致抗蚀剂层120的污染，同时确保曝光图案的正确性。但是，在光掩模130的尺寸越做越大的状况下，光掩模130很容易受到重力的影响而产生弯曲变形，导致光掩模130的中央部分与光致抗蚀剂层120接触。为了避免上述情形发生，光掩模130与光致抗蚀剂层120之间的间距也就无法缩短，导致曝光解析度无法提升，而且光掩模130的弯曲变形使得光掩模130与光致抗蚀剂层120之间的间距大小不一，更会影响曝光图案的正确性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种光掩模，以改善图案定义的解析度。

本发明的再一目的是提供一种光掩模的制作方法，以改善图案定义的解析度。

本发明的又一目的是提供一种图案定义的方法，以提升图案定义的解析度。

为达上述或其他目的，本发明提出一种光掩模，其包括一光掩模基板、一遮蔽图案以及多个凸起件。其中，光掩模基板的一表面可划分为一图案区以及图案区之外的一非图案区。遮蔽图案配置于图案区，而凸起件配置于非图案区内，且凸起件相对于光掩模基板的表面的高度大于遮蔽图案的厚度。

在本实施例中，凸起件相对于光掩模基板的表面的高度例如是介于30微米至150微米，而其优选高度是介于30微米至50微米。此外，凸起件的材质例如是感光材料或是非感光材料。

本发明再提出一种光掩模的制作方法，此方法是先提供一光掩模基板，其中光掩模基板的一表面划分为一图案区以及图案区之外的一非图案区。接着，于光掩模基板的图案区内形成一遮蔽图案。之后，于光掩模基板的非图案区内形成多个凸起件，其中凸起件相对于光掩模基板的表面的高度大于遮蔽图案的厚度。

在本实施例中，于光掩模基板的非图案区内形成多个凸起件的方法例如是进行一喷墨工艺、一贴附工艺或一光刻工艺。

本发明又提出一种图案定义的方法，其是先提供一待定义基板以及一上述的光掩模，其中待定义基板上依序配置有一材料层以及一光致抗蚀剂层。然后，定位待定义基板与光掩模的相对位置，并且使光掩模的凸起件接触待定义基板。之后，使用光掩模对光致抗蚀剂层进行一曝光工艺与一显影工艺，以形成一图案化光致抗蚀剂层，并以此图案化光致抗蚀剂层为掩模以将材料层图案化。

在本实施例中，使凸起件接触待定义基板之前，例如还包括移除与凸起件位置相对应的部分光致抗蚀剂层，以暴露出部分的材料层。另外，在凸起件接触待定义基板之后，例如使光掩模基板的表面与材料层维持一间距，且间距例如是介于30微米至150微米，而光掩模基板的表面与材料层之间的优选距离是介于30微米至50微米。此外，在定位待定义基板与光掩模的相对位置的步骤中，待定义基板与光掩模例如是垂直摆放或是水平摆放。图案化材料层的方法例如是对材料层进行一蚀刻工艺。曝光工艺所使用的光源例如是宽频带(broad band)光源或窄频带(narrow band)光源。

本发明的光掩模于其非图案区具有多个凸起件，且凸起件相对于光掩模基板表面的高度比光掩模基板上的遮蔽图案的高度为高。当对待定义基板进行图案定义的步骤时，光掩模是藉由凸起件接触待定义基板的表面，使得光掩模表面可与待定义基板的表面间维持一定的间距。值得注意的是，使用本发明的光掩模所得到的间距比使用现有光掩模的间距来得小且均匀，因此可以增加曝光解析度以及曝光图案的正确性。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明