[发明专利]一种增强光刻工艺中图形黏附力的方法有效

专利信息
申请号: 200610147715.5 申请日: 2006-12-21
公开(公告)号: CN101004559A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 朱骏 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: G03F7/26 分类号: G03F7/26;G03F7/42;G03F7/36;H01L21/027
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 201203上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种增强光刻工艺中图形黏附力的方法,在进行光刻工艺前,对表面薄膜进行多次等离子碱性处理,在光敏材料图形底部形成交联突出部分,之后由随后的干法刻蚀移除所述与底部薄膜的交联突出部分。其有益效果是,衬底和光敏材料中靠近衬底的光酸反应,阻止了底部光化学反应的进行,从而极大地增强了图形与衬底材料的连接面积,解决了图形线宽缩小,相应的光敏材料也不断减薄的集成电路工艺中经常发生的图形倒塌难题。
搜索关键词: 一种 增强 光刻 工艺 图形 黏附 方法
【主权项】:
1、一种增强光刻工艺中图形黏附力的方法,其特征在于:在集成电路制造过程中光刻工艺前,对底部薄膜材料(3)进行多次等离子碱性处理;在光敏材料(1)图形底部形成交联突出部分(2);最后由干法刻蚀移除光敏材料(1)图形底部形成的交联突出部分。
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