[发明专利]利用抗反射涂层作为注入阻挡层的制造集成电路的方法

摘要

本发明公开了一种集成电路晶体管的制造方法。在集成电路晶体管的制造过程中，构图的抗反射涂层可以被用作选择性的注入阻挡层。具体而言，该抗反射涂层可以被用作栅侧壁间隔物来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。另外，当制造集成电路晶体管的源极和漏极延伸区以及源极区和漏极区时，可以使用单个掩模。

主权项

1、一种集成电路晶体管的制造方法，包括：在集成电路衬底中形成包括其上的第一绝缘栅的第一有源区和包括其上的第二绝缘栅的第二有源区；在该第二有源区上选择性地形成注入阻挡掩模；将延伸掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极延伸区和漏极延伸区，同时该注入阻挡掩模阻挡该掺杂剂进入该第二有源区；在该第一有源区上形成抗反射涂层；在该第一有源区上定向地蚀刻该抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模；将源极/漏极掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极区和漏极区，同时该注入阻挡掩模阻挡该源极/漏极掺杂剂进入该第二有源区，且该抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些该源极/漏极掺杂剂进入该抗反射涂层侧壁间隔物下的第一有源区，且该源极延伸区和漏极延伸区保留在该抗反射涂层侧壁间隔物下；且去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物。