[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种结构及其形成方法。该结构包括(a)包括在第一和第二S/D区之间设置的沟道区的半导体层；(b)在沟道区上的栅极电介质区；(c)在栅极电介质区上并通过栅极电介质区与沟道区电绝缘的栅极区；和(d)在栅极区上的保护伞状区，其中保护伞状区包括第一电介质材料，并且其中栅极区完全处于保护伞状区的阴影区之中；和(e)填充的接触孔，它(i)在第二S/D区正上方并与其电连接，并且(ii)与保护伞状区的边缘对准，其中接触孔通过层间电介质(ILD)层与栅极区物理隔离，该ILD层包括与第一电介质材料不同的第二电介质材料。

主权项

1.一种结构形成方法，包括：提供一种结构，该结构包括：(a)包括(i)沟道区和(ii)第一和第二源极/漏极(S/D)区的半导体层，其中沟道区设置在第一和第二S/D区之间并与第一和第二S/D区电耦接，(b)通过接合表面与沟道区直接物理接触的栅极电介质区，该接合表面限定了垂直于该接合表面的参考方向，其中在参考方向上栅极电介质区是在沟道区之上，(c)与栅极电介质区直接物理接触的栅极区，其中栅极电介质区被夹在栅极区和沟道区之间并使栅极区和沟道区电绝缘，和(d)在栅极区上的硬盖区；从硬盖区形成保护伞状区以使栅极区完全处于保护伞状区的阴影区之下，其中保护伞状区的阴影区包括通过保护伞状区屏蔽了(i)沿参考方向在保护伞状区正上方且(ii)距保护伞状区无限远的虚拟点光源的空间；在执行了所说的形成保护伞状区的步骤之后在该结构上掩盖淀积层间电介质(ILD)层；在ILD层中形成位于第二S/D区正上方并与保护伞状区的边缘对准的接触孔，其中接触孔通过ILD层与栅极区物理隔离；和以导电材料填充接触孔。