[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

提供一种方法，其允许经由新颖表面制备方案，在相异掺杂的半导体表面(n型和p型)上进行均匀、同时的半导体材料的外延生长，而不使衬底变薄，以及一种将此方案实现到用于集成电路的工艺集成流程中而产生的结构。本发明的方法可以用于从相异表面进行选择性或非选择性的半导体材料的外延生长。更具体而言，本发明包括一种方法，用于采用一种技术在晕圈和/或延展注入工艺期间对硅电路的n－FET和/或p－FET区域进行反掺杂，通过所述技术使得两个区域的表面特性在它们对于湿法或干法表面制备的响应方面相似，且该技术使得两个之前相异的表面可改性，以同时进行加高的源极/漏极结构的外延生长；但不会另外影响所得到器件的电性能。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，包括：提供具有至少两个区域的结构，其中所述至少两个区域在对表面加工的响应以及外延生长速率方面，具有相似或相异的表面特性；以及将界面掺杂剂引入到所述至少两个区域中的至少一个中，以将该区域内的表面特性改性为与不包括所述界面掺杂剂的其它区域相同或不同，但须当衬底具有相似表面特性的区域时，则所述界面掺杂剂提供具有与其它区域相异的表面特性的区域，且当所述衬底包括相异表面特性时，则所述界面掺杂剂提供具有表面特性与其它区域的表面特性相同的区域。