[发明专利]氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 200610132273.7 | 申请日： | 1999-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1933200A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 谷沢公二;三谷友次;中河義典;高木宏典;丸居宏充;福田芳克;池上武止 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，它是在具有包含p型接触层的多层氮化物半导体层的p侧区域和由多层氮化物半导体层构成的n侧区域之间，具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述p型接触层具有将含有组成互不相同的第一和第二氮化物半导体膜的膜层依次层叠起来的超晶格结构，在上述两种氮化物半导体膜中，至少第一氮化物半导体膜含有In。
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