[发明专利]半导体元件

摘要

一半导体元件，可如同一个二进制存储器元件或一多态存储器元件运行。也可如同一非易失性元件运行。半导体元件包括：衬底，具有主动表面；至少两个掺杂区，形成于主动表面之中；沟道区，定义于上述至少两个掺杂区之间；以及栅极结构，具有一特定宽度以及一特定长度，其中该栅极结构包括：栅极电介质，高介电常数电介质，以及位于该高介电常数电介质之上的栅极电极。该半导体元件基本上由一金属氧化物半导体场效应晶体管组成，在栅极电介质与栅极电极间更包括一层高介电常数电介质，用以提供一、二、或三个电荷陷阱准位，以产生“0”伏特以外的三个不同电压，以二进制写入晶体管。

主权项

1.一种半导体元件，具有至少两种可控制状态，其中该半导体元件包括：衬底，具有主动表面；至少两个掺杂区，形成于该主动表面之中；沟道区，定义于上述至少两个掺杂区之间；以及栅极结构，具有一特定宽度以及一特定长度，其中该栅极结构包括：栅极电介质，具有一特定厚度，并且位于该衬底的主动表面上，同时也位于该沟道区之上；高介电常数电介质，位于该栅极电介质之上，并且具有一特定厚度以提供至少一个电子或空穴陷阱能阶；以及栅极电极，位于该高介电常数电介质之上。