[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，在该方法中先提供基底。然后，在基底上形成栅极结构材料层。而后，通入含碳前驱气体以及反应气体，以在栅极结构材料层上形成含碳掩模材料层。接着，将含碳掩模材料层与栅极结构材料层图形化，以形成含碳硬掩模层与栅极结构。之后，在栅极结构与含碳硬掩模层的侧壁上形成间隙壁。随后，在基底上形成保护层。接着，移除部分保护层，而暴露出部分基底表面。然后，在暴露的基底上形成掺杂外延层。

主权项

1.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构材料层；通入含碳前驱气体以及反应气体，以在所述栅极结构材料层上形成含碳掩模材料层；将所述含碳掩模材料层与所述栅极结构材料层图形化，以形成含碳硬掩模层与栅极结构；在所述栅极结构与所述含碳硬掩模层的侧壁上形成间隙壁；在所述基底上形成保护层；移除部分所述保护层，暴露出部分所述基底；以及在暴露的部分所述基底上形成掺杂外延层。