[发明专利]掺杂钨酸铅晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200610117681.5 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1962965A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 万尤宝;刘俊星 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李兰英;杨润周 |
| 地址： | 314001*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃－200℃干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓度为0.01％－0.1％，称量好的固体粉末在10KPa－50KPa压力下压制成致密块状固体，在750℃－1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃－1200℃恒温半小时使之完全熔化；(2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。它不仅适用于掺杂易挥发的掺杂剂，同时也同样适用于掺杂没有挥发性的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 钨酸铅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃～200℃干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓度为0.01％～0.1％，称量好的固体粉末在10Kpa～50Kpa压力下压制成致密块状固体，在750℃～1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃～1200℃恒温半小时使之完全熔化；2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。
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