[发明专利]高压半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610111416.6 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1983633A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张馨文;张耀文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种高压组件及其制造方法，其中该高压半导体组件包括具有主要表面的硅基底、位于硅基底的主要表面上的闸极、邻近主要表面的部分基底中的源极区以及邻近主要表面的部分基底中的汲极区。汲极区与源极区分离。通道区被定义于邻近源极区与汲极区之间的主要表面的部分硅基底中。通道区的至少一部分位于闸极下。外加区域位于邻近信道区的主要表面上。外加区域是由高介电常数材料或导体材料所构成。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压半导体组件，其特征在于其包括：一硅基底，具有一主要表面；一闸极，配置于该硅基底的该主要表面上；一源极区，配置于部分该硅基底中，且邻近于该主要表面；一汲极区，配置于部分该硅基底中，且邻近该主要表面，该汲极区与该源极区分离；一通道区，定义于该源极区及该汲极区之间的部分该硅基底中，且邻近于该主要表面，该通道区至少有一部分位于该闸极下；以及一外加区域，配置于该主要表面，且邻近于该通道区，该外加区域是由一种高介电常数介电材料所构成。
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