[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610101519.4 申请日: 2006-07-12
公开(公告)号: CN1897319A 公开(公告)日: 2007-01-17
发明(设计)人: 李庭旭;瓦西利·勒尼亚钦;宋美贞;尹皙胡;金显秀 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种发光二极管(LED)及其制造方法,LED具有实现更高的发光效率和更好的光输出性能的改进结构。LED包括:在衬底上形成的n-GaN层,其具有多个突起,因而具有非均匀表面,其中,突起的侧面相对于衬底的上表面倾斜第一倾斜角α(35°≤α≤90°);在n-GaN层的表面上以共形方式形成的有源层,其中,在突起的侧表面上形成的有源层的表面相对于衬底的上表面倾斜第二倾斜角β(35°≤β≤α);在有源层的表面上以共形方式形成的p-GaN层,其中,在有源层的倾斜部分的表面上形成的p-GaN层的表面相对于衬底的上表面倾斜第三倾斜角γ(20°≤γ<β);及在n-GaN层的预定区域上形成的对应于p电极的n电极。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管,包括:在衬底上形成的n-GaN层,其具有多个突起,因而具有非均匀表面,其中,所述突起的侧面相对于衬底的上表面倾斜第一倾斜角α,35°≤α≤90°;在所述n-GaN层的表面上以共形的方式形成的有源层,其中,在所述突起的侧面上形成的有源层的表面相对于衬底的上表面倾斜第二倾斜角β,35°≤β≤α;在所述有源层的表面上以共形的方式形成的p-GaN层,其中,在所述有源层的倾斜部分的表面上形成的p-GaN层的表面相对于衬底的上表面倾斜第三倾斜角γ,20°≤γ<β;在p-GaN层上形成的p电极;以及在所述n-GaN层的预定区域上形成的、对应于p电极的n电极。
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