[发明专利]半导体集成电路器件无效

专利信息
申请号: 200610100205.2 申请日: 1998-12-25
公开(公告)号: CN1956330A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 田中一雄;水野弘之;西山利惠;宫本学 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
主分类号: H03K3/353 分类号: H03K3/353;H03K3/356;H03K19/0185;H01L27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体集成电路器件,包括:包含由第一供电电压供电的第一电路的第一区域;包含由第二供电电压供电的第二电路的第二区域;其中,所述第一电路包括电平转换电路,所述第二电路包括把信号输出到所述电平转换电路的逻辑电路,以及所述信号经第一静电击穿保护电路传输到所述第二电路,所述第一静电击穿保护电路设置在所述第一区域。
搜索关键词: 半导体 集成电路 器件
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,包括:包含由第一供电电压供电的第一电路的第一区域;包含由第二供电电压供电的第二电路的第二区域;其中,所述第一电路包括电平转换电路,所述第二电路包括把信号输出到所述电平转换电路的逻辑电路,以及所述信号经第一静电击穿保护电路传输到所述第二电路,所述第一静电击穿保护电路设置在所述第一区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社,未经株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610100205.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top