[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的遮光导电层，所述遮光导电层电连接到固定电位；形成在所述衬底上的至少一个像素电极；形成在所述衬底上用于开关所述像素电极的至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：具有至少源区、漏区和沟道区以及电容器形成部分的半导体层，其中所述遮光导电层位于所述半导体层的下方；所述沟道区上的第一绝缘膜；以及形成在所述沟道区上的栅电极，所述第一绝缘膜插入在其间，电连接到所述薄膜晶体管的存储电容器，所述存储电容器包括：半导体层的所述电容器形成部分；形成在所述电容器形成部分上的电容器形成电极；以及插入在所述电容器形成部分和所述电容器形成电极之间的第二绝缘膜，包括移位寄存器电路的驱动电路，所述移位寄存器包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：具有至少源区、漏区和沟道区的第二半导体层；形成在第二半导体层的沟道区上的第三绝缘膜；以及形成在第二半导体层的沟道区上的栅电极，第三绝缘膜插入其间，其中所述第一绝缘膜比所述第二和第三绝缘膜更厚。