[发明专利]氮化物系半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610095905.7 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1913104A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 户田忠夫;山口勤;畑雅幸;野村康彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/60;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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