[发明专利]陶瓷金属膜3维结构载体的生产工艺无效
申请号: | 200610095058.4 | 申请日: | 2006-08-25 |
公开(公告)号: | CN101131937A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 张健;陈其林 | 申请(专利权)人: | 重庆卓为电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400060重庆市南*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明属于陶瓷金属薄膜、厚膜产品加工生产的工艺技术领域。目前常用的陶瓷金属膜2维结构产品的加工,是在陶瓷基板的平面上进行,一般在基板金属化的基础上通过一两次光刻,或者通过金属浆料的印制、烧结,然后切割成设计的平面矩形结构就算完成。本发明涉及的陶瓷金属膜3维结构载体的生产技术,比2维结构产品的加工要复杂得多,但是完全适合于陶瓷薄膜和陶瓷厚膜两种工艺相关产品的加工。无论是采用薄膜工艺,还是采用厚膜工艺,本发明涉及的陶瓷金属膜3维结构载体生产加工的关键,都是在基板金属化后(前)的基础上,采用砂轮划片机切割出带槽的陶瓷长条,然后分别完成正面、侧面金属图形的制作,由此得到陶瓷金属膜3维结构的载体。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 金属膜 结构 载体 生产工艺 | ||
【主权项】:
1.为制造陶瓷金属膜小型3维结构载体而发明的生产工艺技术,其特征在于首先在小于或者等于1mm的陶瓷基板(1)上通过特殊工艺制作完成设计的金属膜图形(2);采用机器切割、金刚细沙打磨的工艺制备一个特定的平整的侧面(3);第二次应用金属化的工艺方法,在选定的侧面上制备与陶瓷基板正面金属相连接的金属膜图形(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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