[发明专利]场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200610094648.5 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1885562A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 艾德华·约瑟夫·诺瓦克;马修·约瑟夫·布雷特维奇;布伦特·阿兰·安德森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所公开的是一种具有背栅的三栅场效应晶体管及其制作方法。具体地说，背栅被组合到鳍的下部中。三栅结构被形成在鳍上，并被电隔离于背栅。此背栅能够被用来控制FET的阈值电压。在一个实施方案中，背栅延伸到p型硅衬底中的n阱。到n阱的接触使得电压能够被施加到背栅。n阱与p型衬底之间产生的二极管将流过n阱的电流隔离于衬底上的其它器件，使得背栅能够被独立地偏置。在另一实施方案中，背栅延伸到p型硅衬底上的绝缘层上的n型多晶硅层。到n型多晶硅层的接触使得电压能够被施加到背栅。延伸通过多晶硅层到绝缘层的沟槽隔离结构，将流过多晶硅层的电流隔离于硅衬底上的其它器件。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，它包含：衬底；所述衬底上的鳍，其中，所述鳍包含：上部半导体部分；和下部背栅部分；以及邻近所述鳍的正面栅。
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