[发明专利]动态随机存取存储器及沟渠式电容器的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器，包括基底、隔离结构、二个晶体管、二个沟渠式电容器及二个通过栅极。隔离结构设置于基底中，包括第一隔离结构及第二隔离结构，第二隔离结构设置于第一隔离结构上方的基底中，而第二隔离结构的底面低于基底的表面，且第二隔离结构的边界位于第一隔离结构的边界外。晶体管分别配置于隔离结构两侧的基底上。沟渠式电容器分别配置于各个晶体管与隔离结构之间，且部分第二隔离结构位于各个沟渠式电容器中。通过栅极结构完全配置于第二隔离结构上。

主权项

1.一种动态随机存取存储器，包括：基底；隔离结构，设置于该基底中，包括：第一隔离结构；以及第二隔离结构，设置于该第一隔离结构上方的该基底中，而该第二隔离结构的底面低于该基底的表面，且该第二隔离结构的边界位于该第一隔离结构的边界外；二晶体管，分别配置于该隔离结构两侧的该基底上；二沟渠式电容器，分别配置于各该晶体管与该隔离结构之间，且部分该第二隔离结构位于该些沟渠式电容器中；以及二通过栅极结构，完全配置于该第二隔离结构上。