[发明专利]动态随机存取存储器及沟渠式电容器的制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，包括：

基底；

隔离结构，设置于该基底中，包括：

第一隔离结构；以及

第二隔离结构，设置于该第一隔离结构上方的该基底中，而该第二隔离结构的底面低于该基底的表面，且该第二隔离结构的边界位于该第一隔离结构的边界外；

二晶体管，分别配置于该隔离结构两侧的该基底上；

二沟渠式电容器，分别配置于各该晶体管与该隔离结构之间，且部分该第二隔离结构位于该些沟渠式电容器中；以及

二通过栅极结构，完全配置于该第二隔离结构上。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第二隔离结构覆盖相邻两个沟渠式电容器的一部分。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第二隔离结构完全覆盖相邻两个沟渠式电容器。

4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括二接触窗，分别连接至所对应的各该沟渠式电容器。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中各该沟渠式电容器包括：

上电极；

下电极，配置于该上电极周缘的该基底中；以及

电容介电层，配置于该上电极与该下电极之间。

6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器，其中该电容介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第一隔离结构的材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该第二隔离结构的材料包括氧化硅。

9.一种沟渠式电容器的制造方法，包括：

于基底中形成第一隔离结构；

于该第一隔离结构两侧的该基底中分别形成沟渠式电容器；

移除部分各该沟渠式电容器，以形成开口；以及

形成填满该开口的第二隔离结构。

10.如权利要求9所述的沟渠式电容器的制造方法，其中该开口的形成方法，包括：

于该基底上形成图案化掩模层，且该图案化掩模层暴露出该些沟渠式电容器；

对所暴露出该些沟渠式电容器进行蚀刻工艺；以及

移除该图案化掩模层。

11.如权利要求10所述的沟渠式电容器的制造方法，其中所进行的该蚀刻工艺包括各向异性蚀刻工艺。

12.如权利要求10所述的沟渠式电容器的制造方法，其中该图案化掩模层包括图案化光致抗蚀剂层。

13.如权利要求9所述的沟渠式电容器的制造方法，其中该第二隔离结构的形成方法，包括：

于该基底上形成绝缘层，且该绝缘层填满该开口；以及

移除该开口以外的该绝缘层。

14.如权利要求13所述的沟渠式电容器的制造方法，其中形成该绝缘层的方法包括化学气相沉积法。

15.如权利要求13所述的沟渠式电容器的制造方法，其中移除该开口以外的该绝缘层的方法包括化学机械抛光法。