[发明专利]形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200610094069.0 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043002A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张宗宪;谢东衡;吴忠政;张守仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及左右各一个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位于该栅极顶部的衬层以及至少位于该栅极的侧壁上的该衬层的一部分；以及金属硅化至少一部分的该栅极。本发明通过凹蚀设置于植入掩模与栅极之间的衬层允许更多的栅极部分可以被金属硅化且不会影响晶体管的操作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及多个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位于该栅极顶部的衬层以及至少位于该栅极的侧壁上的该衬层的一部分；以及金属硅化至少一部分的该栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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