[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200610091776.4 | 申请日: | 2006-06-12 |
公开(公告)号: | CN101009265A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 张明一;李振焕 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 半导体器件包括半导体衬底、平板电极、金属层。半导体衬底包括电容区域和伪区域。平板电极形成于半导体衬底上,其中平板电极的伪插塞形成于伪区域里。金属层形成于平板电极上,而金属层则接触着伪插塞。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:半导体衬底,其包括电容区域和伪区域;平板电极,其形成于半导体衬底上方,其中所述平板电极的伪插塞形成于所述伪区域中;以及金属层,其形成于所述平板电极上方,所述金属层接触所述伪插塞。
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