[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610091776.4 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101009265A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张明一;李振焕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体衬底、平板电极、金属层。半导体衬底包括电容区域和伪区域。平板电极形成于半导体衬底上，其中平板电极的伪插塞形成于伪区域里。金属层形成于平板电极上，而金属层则接触着伪插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底，其包括电容区域和伪区域；平板电极，其形成于半导体衬底上方，其中所述平板电极的伪插塞形成于所述伪区域中；以及金属层，其形成于所述平板电极上方，所述金属层接触所述伪插塞。
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