[发明专利]硬掩模层与半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200610074881.7 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064245A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈志铭;陈英村;黄德浩;邱达燕;刘庆冀 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/308;H01L21/3213;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成一层掩模层；于掩模层上形成一层图案化光致抗蚀剂层；图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，且这些开口暴露部分掩模层；之后，移除部分掩模层，以暴露开口底部的部分基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以增加掩模层的抗蚀刻性；之后，进行第二氧等离子体处理工艺，以移除残留的图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模层 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成掩模层；于该掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，该些开口暴露部分该掩模层；移除部分该掩模层，以暴露该些开口下方的部分该基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以移除部分该图案化光致抗蚀剂层，并增加该掩模层的抗蚀刻性；以及进行第二氧等离子体处理工艺，以移除残留的该图案化光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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