[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，其中形成有覆盖第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的应力膜(4)，其具有多个开口，由这些开口部分地暴露该第一场效应晶体管和该第二场效应晶体管的各自起始区和终止区，该应力膜至少向从该第一场效应晶体管和该第二场效应晶体管的各自起始区附近延伸至终止区附近的区域施加应力，并将第一栅极(3A)沿基本垂直于第一绝缘层方向的高度设定为不同于第二栅极(3B)沿基本垂直于第二绝缘层方向的高度。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：第一导电类型的第一场效应型晶体管和第二导电类型的第二场效应型晶体管，设置于半导体衬底上，其中该第一场效应型晶体管包括：第一栅极；第一绝缘层，位于该第一栅极下方；第二导电类型的导电层，用于形成位于该第一绝缘层下方的第一导电类型的第一导电通路；第一导电类型起始区，其形成于将成为该第一导电通路的第二导电类型区的一端，且将成为该第一导电通路的起始点；以及第一导电类型终止区，其形成于该第二导电类型区的另一端，且将成为该第一导电通路的终止点，该第二场效应型晶体管包括：第二栅极；第二绝缘层，位于该第二栅极下方；第一导电类型的导电层，用于形成位于该第二绝缘层下方的第二导电类型的第二导电通路；第二导电类型起始区，其形成于将成为该第二导电通路的第一导电类型区的一端，且将成为该第二导电通路的起始点；以及第二导电类型终止区，其形成于该第一导电类型区的另一端，且将成为该第二导电通路的终止点，其中形成有覆盖该第一场效应型晶体管和该第二场效应型晶体管的应力膜，其具有多个开口，由这些开口部分地暴露该第一场效应型晶体管和该第二场效应型晶体管的各自起始区和终止区，该应力膜至少向如下区域施加应力，该区域从该第一场效应型晶体管和该第二场效应型晶体管的各自起始区附近延伸至终止区附近，并且将该第一栅极沿基本垂直于该半导体衬底方向的高度设定为不同于该第二栅极沿基本垂直于该半导体衬底方向的高度。