[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200610073801.6 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1855549A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置。在现有的半导体装置中，存在有不能将保护元件不受过电压破坏而设置的保护二极管的耐压特性提高的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上的外延层(3)上形成有元件保护用的保护二极管(1)。在外延层(3)表面形成有肖特基势垒用金属层(14)，并在肖特基势垒用金属层(14)的端部(20)的下方形成有P型扩散层(7)。并且，与P型扩散层(7)连结并向阴极区域侧形成P型扩散层(9)。在P型扩散层(9)的上方形成施加了阳极电位的金属层(18)，可得到场板效果。通过该结构，减小耗尽层的大的曲率变化，使保护二极管(1)的耐压特性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：反向导电类型的第一及第二阳极扩散层，其在一导电类型的半导体层上分隔形成；一导电类型的阴极扩散层，其形成在所述半导体层上；反向导电类型的第三阳极扩散层，其与所述第二阳极扩散层连结并向所述阴极扩散层侧延伸地形成在所述半导体层上；绝缘层，其形成在所述半导体层上面；阳极电极，其经由形成于所述绝缘层上的接触孔与所述第一及第二阳极扩散层连接，并且与所述第一阳极扩散层和第二阳极扩散层之间的所述半导体层肖特基接合，在所述第三阳极扩散层上方的所述绝缘层上面配置有所述阳极电极或与所述阳极电极连接的金属层。
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