[发明专利]具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073547.X | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1855495A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;朴东建;金洞院;金旻相;尹恩贞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L27/105;H01L27/02;H01L21/8232;H01L21/8239;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 定向 电极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体层；半导体层的第一区域中的第一晶体管，该第一晶体管包括：栅电极，在垂直方向延伸到半导体层；半导体层中的源区和漏区，在水平方向上设置在栅电极的相对侧；以及半导体层的横向沟道区，在横向方向上在栅电极的侧面，其在源区和漏区之间的水平方向上延伸；以及半导体层的第二区域中的第二晶体管，该第二晶体管包括平面晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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