[发明专利]存储多值数据的非易失性半导体存储器

摘要

在对存储单元的数据写入的开始时，电压生成电路以第1控制时间对控制栅供给第1控制栅电压，同时以比第1控制时间短的第1写入时间对漏供给写入电压。校验的结果，在对于存储单元的写入是不充分的情况下，电压供给部比第1控制时间短的时间对控制栅供给在第1控制栅电压上增加了恒定电压的第2控制栅电压，同时以比第1写入时间短的第2写入时间对漏供给写入电压。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：存储单元；电压供给部，在对上述存储单元写入数据时，对上述存储单元的控制栅供给控制栅电压，对上述存储单元的漏供给漏电压；以及控制部，在对上述存储单元的数据写入后，校验上述存储单元的阈值，在对上述存储单元的数据写入开始时，上述电压供给部以第1控制时间对上述控制栅供给第1控制栅电压，同时以比上述第1控制时间短且在上述第1控制栅电压的供给开始后开始供给、在上述第1控制时间经过之前结束供给的第1写入时间对上述漏供给规定的写入电压，由上述控制部进行的第1校验的结果，在对于上述存储单元的写入是不充分的情况下，上述电压供给部以比上述第1控制时间短的第2控制时间对上述控制栅供给在上述第1控制栅电压上增加了恒定电压的第2控制栅电压，同时以在上述第2控制栅电压的供给开始后开始供给、在经过上述第2控制时间为止结束供给的、比上述第1写入时间短的第2写入时间对上述漏供给上述规定的写入电压，由上述控制部进行的第2校验的结果，在判断为对于上述存储单元的写入是不充分的情况下，上述电压供给部以上述第2控制时间对上述控制栅供给在第2控制栅电压上增加了上述恒定电压的第3控制栅电压，同时以上述第2写入时间对上述漏供给上述规定的写入电压。