[发明专利]在电极衬垫之下集成电子器件的半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其包括器件、两个金属配线层、和绝缘膜。该器件包括第一和第二电极。两个金属配线层包括最上金属配线层和次最上金属配线层。绝缘膜形成在最上金属配线层上并包括第一和第二衬垫开口。最上金属配线层具有经第一衬垫开口暴露于空气并形成第一电极衬垫的第一部分，且最上金属配线层具有经第二衬垫开口暴露于空气并形成第二电极衬垫的第二部分。第一和第二电极衬垫位于器件之上并分别电连接到第一和第二电极。次最上的金属配线层具有位于该第一电极衬垫之下并与之电连接的第一部分、及位于该第二电极衬垫之下并与之电连接的第二部分。

主权项

1.一种形成多层金属配线结构的半导体装置，包括：具有包含第一和第二电极的至少两个电极的器件；至少两个金属配线层，包含最上金属配线层和次最上金属配线层；绝缘膜，形成在所述最上金属配线层上并包含包括第一和第二衬垫开口的至少两个衬垫开口，其中经所述第一衬垫开口暴露于空气的所述最上金属配线层的第一部分形成第一电极衬垫，经所述第二衬垫开口暴露于空气的所述最上金属配线层的第二部分形成第二电极衬垫，其中所述第一电极衬垫位于所述器件之上并电连接到所述第一电极，所述第二电极衬垫位于所述器件之上并电连接到所述第二电极，及其中所述次最上金属配线层的第一部分位于所述第一电极衬垫之下并与之电连接，所述次最上金属配线层的第二部分位于所述第二电极衬垫之下并与之电连接。