[发明专利]高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200610041322.6 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1976057A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;易扬波;夏小娟;徐申;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型阱(2)和P型漂移区(3)，在N型阱(2)内设有N型接触孔(6)和P型源(5)，在P型漂移区(3)内设有P型漏(4)，在N型阱(2)和P型漂移区(3)的上方设有栅氧化层(7)，在栅氧化层(7)上方设有多晶硅栅(8)且多晶硅栅(8)位于N型阱(2)与P型漂移区(3)交界的上方，在栅氧化层(7)及多晶硅栅(8)的上方设有场氧化层(10)，在N型接触孔(6)和P型源(5)上连接有铝引线(11)，在多晶硅栅(8)上连接有铝引线(12)，在P型漏(4)上连接有铝引线(13)，在场氧化层(10)内设有多晶硅场极板(9)，该多晶硅场极板(9)与多晶硅栅(8)连接，其特征在于P型漂移区(3)由、第二区(N2)、第三区(N3)及第四区(N4)组成，该四根区沿P型源(5)至P型漏(4)的方向依次排列，上述第一区(N1)始于N型阱(2)的边界终于多晶硅栅(8)的端部，第二区(N2)始于多晶硅栅(8)的端部终于多晶硅场极板(9)的端部，第三区(N3)始于多晶硅场极板(9)的端部终于与P型漏(4)连接铝引线(13)的末端，第四区(N4)始于与P型漏(4)连接铝引线(13)的末端终于P型漏(4)的末端，上述第四区(N4)的掺杂浓度大于第三区(N3)，第三区(N3)的掺杂浓度大于第二区(N2)，第二区(N2)的掺杂浓度大于第一区(N1)。
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