[发明专利]原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法无效
| 申请号： | 200610027447.3 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101086959A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/314;H01L21/8242;H01L21/8239;H01L21/82;H01L27/108;H01L27/102;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，可防止多晶硅材料在后续制程被氧化，这种方法是在沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅(Si3N4)作为氧化阻挡层，防止多晶硅材料在后续制程被氧化。相对于通过氮化制程防止多晶硅被氧化的方式，本发明的方法可以进一步提升电容器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 形成 氮化 氧化 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
1、一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，防止多晶硅材料在后续制程被氧化，其特征在于：沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅(Si3N4)作为氧化阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
