[发明专利]金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器及制备无效
申请号: | 200610016742.9 | 申请日: | 2006-04-04 |
公开(公告)号: | CN1828950A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 薛海林;张歆东;刘彩霞;董玮;周敬然;阮圣平;陈维友;徐宝琨 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130023吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明具体涉及一种以纳米晶体TiO2薄膜材料为基体的金属-半导体-金属结构(MSM)的光伏型紫外光探测器及该紫外光探测器的制备方法。从下到上依次包括绝缘衬底、用溶胶凝胶法在绝缘衬底上生长的纳米晶体TiO2薄膜、在纳米晶体TiO2薄膜上用蒸发或溅射的方法制备的插指金属电极。该探测器的制备方法是:首先采用溶胶-凝胶技术在绝缘衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜,然后在纳米晶体TiO2薄膜的表面溅射-层金属,最后利用标准光刻技术形成插指电极。本发明制备的MSM结构的光伏型紫外光探测器,具备制备方法简单、便于掌握的优点,对波长从230nm到280nm的紫外波段,探测器有很明显的光响应。 | ||
搜索关键词: | 金属 半导体 金属结构 tio sub 紫外光 探测器 制备 | ||
【主权项】:
1、金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器本发明的探测器,其特征在于:从下到上依次包括绝缘衬底、纳米晶体TiO2薄膜、插指金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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