[发明专利]能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置无效
| 申请号： | 200610014044.5 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1862770A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;张建新 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/203;C23C16/24;C23C16/458;C23C14/14;C23C14/50 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬;肖莉丽 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，旨在提供一种在降低热应力作用的同时还能消除机械应力的影响，以控制和消除外延生长中产生的滑移线和高应力集中区，而且工艺简单，生产效率高的能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置。包括基座本体，所述基座本体上设置有安放槽，与所述安放槽底部边缘的距离为1－5mm处设置有最外圈沟槽，最外圈沟槽内的安放槽内设置有互相连通的沟槽。使用本发明的装置，在消除热应力的同时还消除了机械应力的影响，其效果超过了SEMI国际标准，达到了控制和消除滑移线与高应力集中区的工艺目的，而且使得工艺简单，便于操作，生产效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 硅气相 外延 滑移 应力 装置 | ||
【主权项】：
1、一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，包括基座本体，所述基座本体上设置有安放槽，其特征在于，与所述安放槽底部边缘的距离为1-5mm处设置有最外圈沟槽，最外圈沟槽内的安放槽内设置有互相连通的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
